mémoire Ram Ramshopping

Sujet complet
Certaines personnes veulent tout savoir sur l'ordinateur qu'elles possèdent – ou
envisagent d'acheter – cela les intéresse. D'autres, ne se soucient absolument pas de
leur système, et sont satisfaites ainsi. D'autres enfin – la plupart d'entre nous, en
réalité – s'informent sur leur système lorsqu'elles y sont contraintes – en cas de
panne ou bien pour procéder à une actualisation. Il est important de savoir que le
choix d'un système informatique – et de ses caractéristiques mémoire – aura une
incidence sur son utilisation et sur votre degré de satisfaction. Ce chapitre va mieux
vous faire connaître les mémoires; vous pourrez ainsi vous servir plus efficacement
du système que vous voulez acheter ou que vous allez mettre à jour.

1- FACTEURS DE FORMES DES MODULES

La manière la plus simple de classifier les mémoires est de leur affecter un facteur
de forme. Le facteur de forme d'un module décrit sa taille et la configuration de ses
broches. La plupart des ordinateurs sont dotés de connecteurs de mémoires qui
n'acceptent qu'un seul facteur de forme. D'autres machines sont équipées de
plusieurs types de connecteurs, autorisant ainsi le choix entre deux ou plusieurs
facteurs de forme. Ce type de configuration correspond en général à des périodes
de transition de l'industrie, où l'on ne connaît pas encore le facteur de forme qui
s'imposera ou sera le plus largement distribué.

DIMM
La DIMM (Dual In-line Memory Module - module de mémoires à connexion
double) ressemble beaucoup à la SIMM. Tout comme cette dernière, elle est
implantée verticalement sur les connecteurs d'extension. La principale différence
est la suivante: alors que, sur la SIMM, les broches situées à l'opposé de la carte,
sont "liées" pour former un seul contact électrique, sur la DIMM, les broches
opposées demeurent électriquement isolées et forment deux contacts séparés.
Une DIMM à 168 broches transfère 64 bits de données; elle équipe généralement
les ordinateurs dotés d'un bus de mémoire de 64 bits ou plus. Parmi les autres
différences physiques entre la DIMM à 168 broches et la SIMM à 72 broches, il faut
citer la longueur du module, son nombre d'encoches, ainsi que la manière dont il
est inséré dans le connecteur. Autre différence: de nombreuses SIMM sont montées
inclinées par rapport à la carte, alors que les DIMM à 168 broches sont disposées
verticalement dans le connecteur mémoire et sont donc parfaitement
perpendiculaires à la carte mère. L'illustration ci-dessous est une comparaison entre
une DIMM 168 broches et une SIMM 72 broches.
SO DIMM
Un type de mémoire communément utilisé dans les ordinateurs portables est la
SO DIMM ou Small Outline DIMM. la principale différence entre une
SO DIMM et une DIMM est que la SO DIMM est d'une taille bien inférieure
à celle de la DIMM standard puisqu'elle est destinée aux notebooks. La largeur
de la SO DIMM à 72 broches est 32 bits, celle de la SO DIMM à 144 broches
est 64 bits.
2- PRINCIPALES TECHNOLOGIES DES PUCES
Il est souvent utile de s'abstraire du facteur de forme d'une mémoire, car la plupart
d'entre eux peuvent correspondre à plusieurs technologies. Il est donc possible de
se trouver en présence de deux modules d'apparence similaire, mais qui sont
absolument différents. Par exemple une DIMM à 168 broches peut servir pour une
mémoire EDO, une DRAM synchrone ou d'autres types de mémoire encore. La
seule manière de savoir précisément quel type de mémoire est contenu dans un
module est de se référer au marquage sur les puces. Chaque constructeur a son
propre marquage et son propre numéro de pièce pour identifier la technologie.
MEMOIRE FPM (FAST PAGE MODE)
A une certaine période, la mémoire FPM était la forme la plus courante de DRAM
dans les ordinateurs. Elle était si fréquente que l'on parlait simplement de "DRAM,"
en oubliant "FPM". La technologie de mémoire FPM offrait un avantage sur les
précédentes car elle permettait un accès plus rapide aux données situées sur une
même rangée.
MÉMOIRE EDO (EXTENDED DATA OUT)
Apparue en 1995, la mémoire EDO représentait une nouvelle innovation dans ce
domaine. Similaire à la FPM, elle comportait pourtant une légère modification,
autorisant des accès mémoire consécutifs bien plus rapides. Le contrôleur de
mémoire gagnait du temps en supprimant quelques étapes dans le processus
d'adressage. Avec une EDO, l'adressage de la mémoire par la CPU s'effectue à une
vitesse supérieure de 10 à 15 % par rapport à une FPM.

MÉMOIRE SDRAM (SYNCHRONOUS DRAM - DRAM SYNCHRONE)
Fin 1996, les SDRAM ont commencé à équiper les systèmes. A la différence des
technologies antérieures, la SDRAM se synchronise elle-même avec la CPU. Ainsi,
le contrôleur de mémoire connaît le cycle d'horloge exact où les données seront
disponibles. Donc, la CPU n'attend plus entre les accès mémoire. Les puces SDRAM
bénéficient des modes entrelacement et rafale, qui accélèrent également la
recherche en mémoire. Les modules SDRAM sont disponibles en différentes
fréquences, assurant ainsi la synchronisation avec la vitesse d'horloge du système
où elles sont implantées. Par exemple, une SDRAM PC66 est cadencée à 66 MHz,
une SDRAM PC100 à 100 MHz, une SDRAL PC133 à 133 MHz, et ainsi de suite.
Des valeurs supérieures tels que 200 MHz et 266 MHz sont actuellement en cours
de développement.

DDR SDRAM (DOUBLE DATE RATE SYNCHRONOUS DRAM)
La DDR SDRAM représente la génération suivante de la technologie SDRAM. Elle
permet à la puce mémoire d'effectuer des transactions à la fois durant la phase
montante et durant la phase descendante du cycle d'horloge. Par exemple, avec une
DDR SDRAM, un bus mémoire à 100 ou 133 MHz gère un débit de données réel
de 200 MHz ou 266 MHz. Des systèmes dotés de DDR SDRAM sont attendus pour
la fin de l'an 2000.

3- CONTROLE D'ERREURS

Assurer l'intégrité des données stockées en mémoire est un aspect majeur de la
conception d'une mémoire. Deux moyens primaires pour y parvenir sont la parité
et le code de correction d'erreur (ECC).
Historiquement, la parité et la méthode la plus communément utilisée de contrôle
de l'intégrité des données. La parité est en mesure de détecter – mais pas de corriger
– les erreurs sur un bit. Le code de correction d'erreur (ECC) est une méthode
plus complète de vérification de l'intégrité des données qui est en mesure de
détecter et corriger les erreurs sur un bit.
De moins en moins de constructeurs de PC prévoient un contrôle de l'intégrité des
données dans la configuration de leur machine. Cela est dû à deux facteurs.
Premièrement, en supprimant la mémoire de parité, plus coûteuse que la mémoire
standard, les constructeurs abaissent le prix de leurs machines. Heureusement,
cette tendance s'accompagne du second facteur, à savoir l'élévation de la qualité des
mémoires commercialisées par certains fabricants, ce qui se traduit par la quasi
disparition des erreurs de mémoire.
Le type de contrôle de l'intégralité des données dépend de la manière dont un
ordinateur est utilisé. S'il doit jouer un rôle critique – être utilisé comme serveur,
par exemple – la présence sur la machine d'un contrôle de l'intégrité est idéale. En
général, la situation est la suivante.
• La plupart des ordinateurs conçus pour fonctionner comme serveur évolué sont
dotés d'une mémoire ECC.
• La plupart des ordinateurs bon marché, destinés à une utilisation domestique ou
à un usage professionnel non intensif, ont une mémoire de contrôle de la parité.
PARITÉ
Lorsque la parité est utilisée dans un ordinateur, un bit de parité est stocké dans la
DRAM avec chaque groupe de 8 bits (1 octet) de données. Les deux types de
protocole – parité impaire et parité paire– fonctionnent de manière similaire.
Ce tableau indique comment s'appliquent la parité impaire et la parité paire. Les
processus sont identiques, mais avec des attributs opposés.

La parité a ses limites. Elle est en mesure de détecter les erreurs, mais ne les
corrige pas. Cela est dû au fait qu'elle ne peut pas déterminer lequel des 8 bits de
données est invalide.
De plus, si plusieurs bits sont invalides, le circuit de parité ne détecte pas le
problème si les données remplissent les conditions de parité impaire ou impaire,
recherchées par le circuit de parité. Par exemple, si un 0 valide devient un 1
invalide et si un 1 valide devient un 0 invalide, les deux bits défectueux
s'annulent et le circuit de parité ne détecte rien. Heureusement, l'éventualité
d'une telle situation est extrêmement faible.

ECC
Le code de correction d'erreur est la méthode de contrôle de l'intégrité utilisée à
l'origine dans les PC et serveurs haut de gamme. La différence importante entre
l'ECC et la parité est que l'ECC est capable de détecter et de corriger les erreurs sur
1 bit. Avec l'ECC, la correction d'une erreur sur 1 bit intervient sans que l'utilisateur
s'en rende compte. En fonction du type de contrôleur de mémoire utilisé par
l'ordinateur, l'ECC peut aussi détecter les erreurs rares sur 2, 3 ou 4 bits. Mais il
n'est toutefois pas capable de les corriger. Il existe pourtant des types d'ECC plus
complexes en mesure de corriger les erreurs sur plusieurs bits.
A l'aide d'un algorithme, et de concert avec le contrôleur de mémoire, le circuit
ECC ajoute des bits ECC aux bits de données, et les associe en mémoire. Lorsque
la CPU demande les données, le contrôleur décode les bits ECC et détermine si un
ou plusieurs bits de donnés sont invalides. En cas d'erreur sur un seul bit, le circuit
ECC la corrige. Dans les rares cas d'erreurs sur plusieurs bits, le circuit ECC signale
une erreur de parité.

4- AUTRES SPECIFICATIONS
En plus des facteurs de forme, des technologies de mémoire et des méthodes de
contrôle des erreurs, il existe d'autres spécifications, essentielles pour comprendre
et sélectionner les modules de mémoire.

VITESSE
La vitesse des composantes et modules de mémoire est l'un des facteurs majeurs
pour optimiser une configuration de mémoire. Tous les systèmes informatiques
indiquent la vitesse de la mémoire. Pour garantir la compatibilité de la mémoire, il
faut donc se conformer à cette spécification. Ce chapitre définit trois valeurs de
mesure relatives à une composante de mémoire et à la vitesse d'un module: temps
d'accès, mégahertz et octets par seconde.

TEMPS D'ACCÈS
Avant les SDRAM, la vitesse d'une mémoire était exprimée par son temps d'accès,
mesuré en nanosecondes (ns). Le temps d'accès indique le temps nécessaire au
module pour fournir les données demandées. Une valeur inférieure correspond
donc à un temps d'accès rapide. Les vitesses courantes étaient 80 ns, 70 ns, et 60
ns. Bien souvent, la référence figurant sur la puce indique la vitesse du module; un
numéro terminé par "-6" correspond à 60 ns, par "-7" à 70 ns, etc.
Dans la plupart des cas, l'utilisation d'un module de même vitesse ou plus rapide
répond à la spécification mémoire du système. Par exemple, si votre système
demande une mémoire à 70 ns, vous pouvez utiliser une mémoire à 70 ns ou 60
ns sans aucun problème. Toutefois, certains systèmes anciens contrôlent la vitesse
réglée sur l'ID du module lors du démarrage; ils ne se mettent en route que si la
vitesse recherchée est exacte. Si le système possède une spécification de 80 ns, il
n'accepte aucune différence par rapport à cette valeur, même si la vitesse est
supérieure. Dans de nombreux cas, on réalise les modules de ces systèmes avec des
puces mémoire plus rapides, mais l'on règle l'ID du module sur une vitesse plus
lente afin d'assurer la compatibilité. C'es pourquoi vous ne pouvez jamais être
certain de la vitesse d'un module en consultant le marquage des puces.

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